真空鍍膜的種類

 在真空中製備膜層，包括鍍製晶態的金屬、半導體、絕緣體等單質（zhì）或化合物膜。雖然化學汽（qì）相沉積也采用減壓（yā）、低壓或等離子體等真空手段，但一般真空鍍膜是指用物（wù）理的（de）方法沉積（jī）薄膜。真空鍍膜有（yǒu）三種形式，即蒸發鍍膜、濺射鍍膜和離（lí）子鍍。

蒸（zhēng）發鍍（dù）膜 通過加熱（rè）蒸發某種物質使其沉積在固體表麵，稱為蒸發鍍（dù）膜。這（zhè）種方法最（zuì）早（zǎo）由M.法拉第於（yú）1857年提出，現代已成為常用鍍膜技（jì）術（shù）之一（yī）。

蒸發物質如金（jīn）屬、化合物等置於坩堝內或掛在熱絲上作為蒸發（fā）源，待鍍工件，如金屬、陶瓷、塑料等（děng）基片置於坩堝前方。待（dài）係統抽至高真空後，加熱坩堝使其中的物質蒸發。蒸發物質的原子或分子以冷凝方式（shì）沉積在基片（piàn）表麵。薄膜厚度可由數（shù）百埃至數微米。膜厚決定於蒸發源的（de）蒸發速率和時間（或決定於裝料量），並與源和基（jī）片的距離有關（guān）。對於大麵積鍍膜，常采（cǎi）用（yòng）旋轉基片或（huò）多蒸發源的方（fāng）式以保證膜層厚度的均勻性。從蒸發源到基片的距離應小（xiǎo）於蒸氣分子在殘餘氣體中的（de）平均自由程，以免蒸氣分子與殘氣分子碰撞（zhuàng）引起化（huà）學作用。蒸氣分子平均動能約為0.1～0.2電子伏（fú）。

蒸發源有（yǒu）三（sān）種類型。①電阻加熱源：用難熔金屬如（rú）鎢、鉭製成舟箔或絲狀,通以電流,加熱在它上方的（de）或置於坩堝中的蒸發物質,電阻加熱源主要用於蒸發Cd、

Pb、Ag、Al、Cu、Cr、Au、Ni等材料。②高頻感應加熱源：用高頻感應電流加熱坩堝和蒸發物質。③電子束（shù）加（jiā）熱源：適用於蒸發（fā）溫度較高（不低於2000[618-1]）的材料，即用電子束轟（hōng）擊材料使其蒸發。

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